Stress-mediated solution deposition method to stabilize ferroelectric BiFe1-xCrxO3 perovskite thin films with narrow bandgaps
Jiménez-Zavala, Ricardo (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid)
Ricote, J. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid)
Bretos, Iñigo (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid)
Jiménez Riobóo, Rafael J. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid)
Mompean, Federico J. (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid)
Ruiz y Ruiz de Gopegui, Ana (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid)
Xie, Haibing (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Lira-Cantu, Monica (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
Calzada, M. Lourdes (Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid)

Fecha:	2021
Resumen:	Ferroelectric oxides with low bandgaps are mainly based on the BiFeO perovskite upon the partial substitution of iron with different cations. However, the structural stability of many of these perovskites is only possible by their processing at high pressures (HP, >1GPa) and high temperatures (HT, >700ºC). Preparation methods under these severe conditions are accessible to powders and bulk ceramics. However, transferring these conditions to the fabrication of thin films is a challenge, thus limiting their use in applications. Here, a chemical solution deposition method is devised, which overcomes many of these restrictions. It is based on the application of an external compressive-stress to the film sample during the thermal treatment required for the film crystallization, promoting the formation and stabilization of these HP perovskites. We demonstrate the concept on BiFeCrO (BFCO) thin films deposited on SrTiO (STO) substrates and with large chromium contents. The resulting BFCO perovskite films show narrow bandgaps (Eg∼2. 57 eV) and an excellent ferroelectric response (remnant polarization, P∼ 40 μC cm). The polarized thin films under illumination present a large out-put power of ∼6. 4 μW cm, demonstrating their potential for using in self-powered multifunctional devices. This stress-mediated solution deposition method can be extended to other perovskite films which are unviable under conventional deposition methods.
Ayudas:	Ministerio de Ciencia e Innovación PID2019-104732RB-I00 Ministerio de Economía y Competitividad RTI2018-096918-B-C41 Ministerio de Economía y Competitividad MAT2017-91772-EXP Ministerio de Economía y Competitividad SEV-2017-0706 Ministerio de Economía y Competitividad CTQ2016-81911-REDT Ministerio de Economía y Competitividad MAT2016-76851-R Ministerio de Economía y Competitividad ENE2016-79282-C5-2-R Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2017/SGR-329
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Lengua:	Anglès
Documento:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Materia:	Thin film ; Bismuth ferrite ; Chemical solution deposition ; Ferroelectricity ; Bandgap
Publicado en:	Journal of the European Ceramic Society, Vol. 41, issue 6 (June 2021) , p. 3404-3415, ISSN 1873-619X

DOI: 10.1016/j.jeurceramsoc.2020.12.042

Postprint 34 p, 2.2 MB

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