Characterizationof FD-SOI transistor
Miranda Valls, Roger
Crespo Yepes, Albert, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Data:	2020
Descripció:	77 pag.
Resum:	In this project, measurements have been made on FD-SOI transistors, fabricated by CEA-LETI, to carry out a characterization of these devices, since they are very new and need to be studied. This work has focused on characterizing the aging mechanism of the devices and the observed RTN. To characterize the aging mechanism and variability of the samples based on the applied cycles, the measurements have been made by applying constant stress voltages (CVS) directly to the device with a wafer prove station and a semiconductor parameter analyzer (SPA). To observe TN, different electrical procedures have been studied, controlling the different parameters during the measurements.
Resum:	En aquest projecte s'han realitzat mesures en transistors FD-SOI, fabricats per CEA-LETI, per tal de dur a terme una caracterització d'aquests dispositius, ja que són molt nous i necessiten de ser estudiats. Aquest treball s'ha centrat en caracteritzar l'envelliment dels dispositius i el RTN observat. Per a caracteritzar l'envelliment i la variabilitat de les mostres en funció dels cicles aplicats, les mesures s'han realitzat aplicant tensions d'estrés constant (CVS) directament al dispositiu amb una taula de puntes i un analitzador de paràmetres de semiconductors (SPA). Per tal d'observar RTN s'han estudiat diferents procediments elèctrics, controlant els diferents paràmetres durant les mesures.
Resum:	En este proyecto se han realizado medidas en transistores FD-SOI, fabricados por CEA-LETI, para llevar a cabo una caracterización de estos dispositivos, puesto que son muy nuevos y necesitan de ser estudiados. Este trabajo se ha centrado en caracterizar los mecanismos de envejecimiento de los dispositivos y el RTN observado. Para caracterizar el envejecimiento y la variabilidad de las muestras en función de los ciclos aplicados, las medidas se han realizado aplicando tensiones de estrés constante (CVS) directamente al dispositivo con una tabla de puntas y un analizador de parámetros de semiconductores (SPA). Para observar RTN se han estudiado diferentes procedimientos eléctricos, controlando los diferentes parámetros durante las medidas.
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Llengua:	Anglès
Titulació:	Enginyeria de Telecomunicació / Telecommunication Engineering [4313797]
Pla d'estudis:	Màster Universitari en Enginyeria de Telecomunicació / Telecommunication Engineering [1170]
Document:	Treball de fi de postgrau

78 p, 5.4 MB

El registre apareix a les col·leccions:
Documents de recerca > Treballs de recerca i projectes de final de carrera > Enginyeria. TFM