Resistive switching like-behavior in FD-SOI Ω-gate transistors
Valdivieso, Carlos (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Rodríguez Martínez, Rosana (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Crespo Yepes, Albert (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Martin Martinez, Javier (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Nafría i Maqueda, Montserrat (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)

Data:	2023
Resum:	In this work, the Resistive switching (RS) phenomenon is experimentally investigated in N-type FDSOI Ω-gate NW-FETs with high-k dielectric. The location along the channel of the conductive filament through the device dielectric during switching is analyzed. Finally, the effects of RS on the characteristic transistor curves are also presented.
Ajuts:	Agencia Estatal de Investigación PID2019-103869RB-C32 Agencia Estatal de Investigación PRE2020-092522
Drets:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, i la comunicació pública de l'obra, sempre que no sigui amb finalitats comercials, i sempre que es reconegui l'autoria de l'obra original. No es permet la creació d'obres derivades.
Llengua:	Anglès
Document:	Article ; recerca ; Versió acceptada per publicar
Matèria:	FD-SOI ; Nanowires ; Resistive switching
Publicat a:	Solid-state electronics, Vol. 209 (November 2023) , art. 108759, ISSN 1879-2405

DOI: 10.1016/j.sse.2023.108759

Disponible a partir de: 2025-11-30 Postprint

El registre apareix a les col·leccions:
Articles > Articles de recerca
Articles > Articles publicats