 visitant ::
identificació
|
|||||||||||||||
|
Cerca | Lliura | Ajuda | Servei de Biblioteques | Sobre el DDD | Català English Español | |||||||||
| Pàgina inicial > Articles > Articles publicats > Epitaxially Driven Phase Selectivity of Sn in Hybrid Quantum Nanowires |
(Danish Fundamental Metrology) (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) (University of Copenhagen) (University of Copenhagen) (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia) (Technical University of Denmark) (University of Copenhagen) (Institut Català de Nanociència i Nanotecnologia)
| Data: | 2023 |
| Resum: | Hybrid semiconductor-superconductor nanowires constitute a pervasive platform for studying gate-tunable superconductivity and the emergence of topological behavior. Their low dimensionality and crystal structure flexibility facilitate unique heterostructure growth and efficient material optimization, crucial prerequisites for accurately constructing complex multicomponent quantum materials. Here, we present an extensive study of Sn growth on InSb, InAsSb, and InAs nanowires and demonstrate how the crystal structure of the nanowires drives the formation of either semimetallic α-Sn or superconducting β-Sn. For InAs nanowires, we observe phase-pure superconducting β-Sn shells. However, for InSb and InAsSb nanowires, an initial epitaxial α-Sn phase evolves into a polycrystalline shell of coexisting α and β phases, where the β/α volume ratio increases with Sn shell thickness. Whether these nanowires exhibit superconductivity or not critically relies on the β-Sn content. Therefore, this work provides key insights into Sn phases on a variety of semiconductors with consequences for the yield of superconducting hybrids suitable for generating topological systems. |
| Ajuts: | Agencia Estatal de Investigación CEX2021-001214-S Agència de Gestió d'Ajuts Universitaris i de Recerca 2021/SGR-00457 European Commission 722176 European Commission 716655 |
| Drets: | Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, fins i tot amb finalitats comercials, sempre i quan es reconegui l'autoria de l'obra original.  |
| Llengua: | Anglès |
| Document: | Article ; recerca ; Versió publicada |
| Matèria: | Nanowires ; Topological materials ; Semiconductor-superconductor hybrid ; Sn ; Quantum computing ; Interface ; Epitaxy |
| Publicat a: | ACS nano, Vol. 17, Issue 12 (June 2023) , p. 11794-11804, ISSN 1936-086X |
