Study of dependencies on the operating conditions of RTN signals in nanoelectronic CMOS devices
El Bouinany El Haitout, Nouhaila
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Date:	2024
Abstract:	Over the past years, Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) technology has played an increasingly important role in the world's integrated circuit industry, and for the present and foreseeable future, CMOS will remain the dominant technology used to fabricate integrated circuits (ICs). The key factors contributing to its success are its low power consumption at extremely high working speeds and manufacturability.
Rights:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, sempre i quan aquestes es distribueixin sota la mateixa llicència que regula l'obra original i es reconegui l'autoria.
Language:	Anglès
Studies:	Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [2500895]
Study plan:	Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Document:	Treball final de grau
Subject:	CMOS ; RTN signals

57 p, 10.9 MB

The record appears in these collections:
Research literature > Bachelor's degree final project > School of Engineering. TFG