Study of dependencies on the operating conditions of RTN signals in nanoelectronic CMOS devices
El Bouinany El Haitout, Nouhaila
Nafría i Maqueda, Montserrat, dir. (Universitat Autònoma de Barcelona. Departament d'Enginyeria Electrònica)
Universitat Autònoma de Barcelona. Escola d'Enginyeria

Fecha:	2024
Resumen:	Over the past years, Complementary Metal Oxide Silicon (CMOS) technology has played an increasingly important role in the world's integrated circuit industry, and for the present and foreseeable future, CMOS will remain the dominant technology used to fabricate integrated circuits (ICs). The key factors contributing to its success are its low power consumption at extremely high working speeds and manufacturability.
Derechos:	Aquest document està subjecte a una llicència d'ús Creative Commons. Es permet la reproducció total o parcial, la distribució, la comunicació pública de l'obra i la creació d'obres derivades, sempre i quan aquestes es distribueixin sota la mateixa llicència que regula l'obra original i es reconegui l'autoria.
Lengua:	Anglès
Titulación:	Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [2500895]
Plan de estudios:	Grau en Enginyeria Electrònica de Telecomunicació [957]
Documento:	Treball final de grau
Materia:	CMOS ; RTN signals

57 p, 10.9 MB

El registro aparece en las colecciones:
Documentos de investigación > Trabajos de Fin de Grado > Escuela de Ingeniería. TFG